MULTIVIBRATOR ASTABIL DENGAN PENUTUPAN MOSFET
RD RD
R1 R1
C C
+UQ
Gambar 2.148 Multivibrator astabil dengan penutupan Mosfet MACAM-MACAM MOSFET
Untuk mempelajari sifat -sifat dasar Mosfet kita harus mengenal macam- macam Mosfet yang di bedakan menjadi 2 jenis yaitu :
1. Type Depletion Mosfet D Mosfet . 2. Type Enhancement Mosfet E Mosfet .
Kedua jenis Mosfet tersebut dibedakan berdasarkan cara pemberian lapisan Substratenya . Pada Depletion Mosfet lapisan Substrate di
pasang dalam kanal tidak menyentuh oksida logam S
i 2
sehingga ada sisa kanal yang sempit .
Pada jenis kedua Enhancement Mosfet , lapisan Substrate di pasang pada kanal langsung menembus lapisan oksida logam S
i 2
sehingga kanal tertutup sedang antara Drain dan Source terpisah oleh Substrate .
Bahan yang digunakan sebagai kanal dan Substrate sama-sama Semikonduktor tapi type berlawanan .
2.2.8.6. BIAS MOSFET
Untuk mengoperasikan hidup on dan mati off dari sebuah Mosfet di perlukan Bias Tegangan pada Gate dan Source U
GS
dan tegangan catu antara Drain dan Source U
DD
Bias U
GS
di bedakan menjadi 2 macam 1. Bias peningkatan Enhancement Mosfet ⇒ U
GS
+ Positif 2. Bias pengosongan Depletion Mosfet ⇒ U
GS
- negatif
Di unduh dari : Bukupaket.com
Perhatikan gambar berikut , menjelaskan cara memberi bias pada Mosfet
Gambar 2.149 Memberi bias pada Mosfet
2.2.8.7. D-MOSFET
Gambar 2.150 D Mosfet dengan Depletion Mode
Di unduh dari : Bukupaket.com
D Mosfet Type N
Gambar 2.151 D Mosfet dengan Enhancement Mode
CARA KERJA D MOSFET
D Mosfet dapat dioperasikan dengan memberi Bias pada gatenya yaitu : 1. Bias Depletion U
GS
Negatif 2. Bias Enhancement Mode U
GS
Positif
1. D Mosfet dengan Depletion Mode
Tegangan Catu Drain dan Source U
DS
akan menyebabkan arus mengalir dari Drain ke Source I
D
melalui kanal yang sempit tersebut . Tegangan U
GG
yang mencatu Gate dan Source U
GS
akan mengontrol lebar sempitnya kanal . Bila kanal lebar jumlah elektron yang melewati
kanal dari Source ke Drain semakin banyak dan arus listrik I
D
besar . Dan sebaliknya bila kanal makin sempit jumlah elektron yang melewati akan
sedikit dan arus listrik I
D
semakin kecil .Jadi besar kecilnya arus Drain I
D
akan di kendalikan oleh tegangan Gate dan Source U
GS
. Jika tegangan U
GS
makin negatif mencapai U
GS
off maka arus I
D
semakin kecil ≈ 0 .Bila tegangan U
GS
≈ 0 Gate Source hubung singkat arus Drain I
D
makin besar . Tegangan U
GS
yang menyebabkan I
D
≈ 0 di sebut tegangan U
GS
cut off atau U
G S
off Untuk D Mosfet negatif .
Di unduh dari : Bukupaket.com
2. D Mosfet dengan Enhancement Mode
Seperti penjelasan di atas , hanya Gate di beri tegangan positif + U
GS
. Bila Gate makin positif terhadap Source maka daya hantar kanal Mosfet akan semakin besar . Hal ini menyebabkan arus Drain yang menuju
Source I
D
mencapai maksimum . Karena D Mosfet mempunyai arus saat U
GS
≈ 0 maka juga di sebut Mosfet “Normal ON “ . I
DSS
saat U
GS
≈ 0 bukan arus Drain maksimum .
TAHANAN ISOLASI Kita ketahu tahanan input Zi Mosfet adalah tahanan antara Gate dan
Source . Jadi Zi sangat tinggi dalam Gega ohm G Ω , Karena antara gate G dan Source S di sekat oleh oksida logam Si 0
2
, yang bersifat isolator.
Gambar 2.152 Kurva Transkonduktansi I
D
- U
GS
D Mosfet Chanal N
Gambar 2.153 Kurva Karakteristik Output D Mosfet Chanal N
Di unduh dari : Bukupaket.com
2.2.8.8. E MOSFET
