33
3.3.2. Prosedur Deposisi Lapisan Tipis dengan Teknik
Sputtering DC 3.3.2.1. Deposisi lapisan tipis S
n
O
2
dengan teknik sputtering DC
Pendeposisian lapisan tipis
2
O S
n
pada substrat kaca dilakukan dengan langkah-langkah sebagai berikut :
1. Memasang target
2
O S
n
pada elektroda negatif katoda untuk sasaran penembakan gas argon dalam tabung lucutan.
2. Memasang substrat kaca pada elektroda positif anoda dalam tabung lucutan
3. Mengoperasikan pompa rotari hingga mencapai tekanan
2
10
−
Torr. 4. Mengalirkan gas argon ke dalam tabung lucutan, dan mengatur
tekanan gas sesuai dengan yang dikehendaki dengan cara memutar kran aliran gas.
5. Menghidupkan sistem tegangan tinggi DC dan mengatur tegangan sesuai dengan tegangan kerja yang dikehendaki. Selanjutnya di dalam
tabung akan nampak terbentuknya plasma, yang berarti proses deposisi sedang berlangsung.
6. Menghidupkan sistem pendingin untuk mendinginkan target pada katoda, supaya atom-atom
2
O S
n
yang terlepas dari target benar-benar disebabkan oleh percikan arus searah DC
7. Menghentikan proses deposisi setelah mencapai waktu yang dikehendaki, dengan cara : 1 menutup aliran gas; 2 mematikan sistem
tegangan tinggi dengan memutar pengatur tegangan ke posisi nol; 3 menutup kran pompa vakum rotari; 4 mematikan aliran listrik dan
34 sistem pendingin; 5 mengeluarkan substrat dari tabung setelah
keadaan dingin.
3.3.2.2. Pembuatan kontak perak Kontak perak sebagai penghubung lapisan tipis
2
O S
n
, yaitu untuk mempermudah pengukuran nilai resistansi. Pembuatan kontak perak dilakukan
menggunakan teknik sputtering DC, dengan langkah-langkah sebagai berikut : 1. Menutup bagian tengah sampel lapisan tipis dengan aluminium foil
agar tidak terlapisi perak. 2. Memasang target perak Ag pada katoda dan sampel lapisan tipis pada
anoda. 3. Menghidupkan pompa rotari dan membuka katub by pass ke sistem,
agar sistem dapat divakumkan . 4. Setelah penghampaan sistem mencapai orde sekitar
2
10
−
Torr, katub by pass
ke sistem ditutup. 5. Menghidupkan sistem pendingin target dan pemanas substrat.
6. Setelah temperatur mencapai C
200 , gas Argon dialirkan ke dalam
tabung sputtering dengan mengatur mikrometer yang dilengkapi flowmeter
sehingga mencapai tekanan kerja
2
10 3
−
x Torr yang dapat
dilihat langsung pada Dynavac. 7. Menghidupkan dan mengatur tegangan tinggi DC hingga mencapai 2,2
kV dan arusnya sekitar 40 sampai dengan 50 mA, maka proses
Kategori