Suhu Substrat Proses Pembentukan Lapisan Tipis S
11 bertambah lebar memungkinkan atom-atom berenergi tinggi berada di atas energi
ikatnya bergerak mendobrak ikatanya, setelah lepas atom tersebut berpindah keposisi yang baru, sehingga kisi menjadi kosong. Dengan bertambahnya suhu
mengakibatkan jumlah kekosongan meningkat dengan cepat. Substrat bersuhu tinggi memungkinkan atom-atom asing menyusup lebih dalam diantara celah-
celah atom atau menempati kekosongan yang ada. Hal ini mengakibatkan atom- atom asing terikat dan semakin kuat menempel pada bahan, sehingga lapisan yang
terbentuk akan memiliki karakterisasi yang baik Van Vlack, 1991. 2.1.2.5. Waktu Deposisi
Lamanya waktu pendeposisi sangat mempengaruhi ketebalan lapisan tipis yang dihasilkan. Semakin lama waktu deposisi, maka akan semakin banyak atom-
atom bahan target yang terdeposisi menempati posisi interstisi atau ruang kosong dalam substrat sehingga kerapatan bahan disekitar permukaan akan meningkat dan
dapat menghasilkan lapisan tipis yang maksimum. Kondisi ini juga dipengaruhi oleh daerah interstisi kekosongan substrat. Interstisi merupakan ruang kosong
pada kisi kristal yang dipengaruhi oleh naiknya temperatur, bila suhu dinaikkan maka energi akan meningkat sehingga atom-atom bergetar dan menimbulkan
jarak antar atom lebih lebar. Jarak inilah yang menjadi daerah interstisi.