5 Microscope
SEM dan Energy Dispersive X-ray Spectroscopy EDXS
BAB III Eksperimen
Bab ini menguraikan tentang alat dan bahan yang digunakan, prosedur, metode dalam bereksperimen.
BAB IV Hasil dan Pembahasan
Bab ini menguraikan tentang hasil dan pembahasan dari eksperimen yang dilakukan.
BAB V Penutup
Bab ini berisi kesimpulan dan saran.
6
BAB II DASAR TEORI
2.1. Pembentukan Lapisan Tipis S
n
O
2
dengan Metode Sputtering DC
2.1.1. Proses Sputtering DC
Sputtering percikan merupakan proses yang menerangkan dibebaskannya beberapa atom suatu bahan logam sebagai akibat penembakan oleh ion positif
berat. Proses ini dapat digunakan untuk mengendapkan suatu lapisan tipis logam secara merata di atas sebuah bahan dalam suatu lingkungan tertupup Isaacs A.,
1994. Pada umumnya bahan lapisan tipis dibuat dengan cara deposisi atom-atom individual suatu bahan pada permukaan substrat dengan ketebalannya mencapai
orde kurang dari beberapa mikron. Lapisan metal tipis diperoleh pertama kali oleh Bunsen dan R. W. Grove pada tahun 1852, ketika mereka melakukan penelitian
lucutan listrik dalam gas bertekanan rendah dalam suatu sistem vakum, yang menampakkan gejala terbentuknya lapisan metal tipis pada dinding tabung
disekitar elektroda negatif. Metode sputtering merupakan salah satu teknik rekayasa bahan dengan
cara menembakkan ion-ion berenergi tinggi kepermukaan target sehingga atom- atom target terlepas dari permukaannya, kemudian difokuskan kepermukaan
substrat Grainger, 1998. Proses ini berlangsung selama beberapa menit sampai terbentuk lapisan tipis dipermukaan substrat. Metode ini mudah dikontrol sesuai
dengan tebal lapisan yang diinginkan. Sistem sputtering DC dilengkapi dengan beberapa peralatan seperti tabung
reaktor plasma, sumber tegangan tinggi HVDC, sistem pemanas substrat, sistem pendingin target, sistem vakum, pompa difusi, pompa rotari, alat pengukur dan
7 pengontrol tekanan, sistem pengontrol temperatur, bahan target dan bahan
substrat. Skema mesin sputtering DC dapat ditunjukkan pada Gambar 2.1.
Gambar 2.1. Skema mesin sputtering DC 2.1.1.1 Tabung Reaktor Plasma
Tabung reaktor plasma merupakan tempat terjadinya proses ionisasi gas yaitu untuk pembentukan plasma dan deposisi lapisan tipis pada substrat. Di
dalam tabung terdapat dua elektroda, elektroda bagian bawah yang berfungsi sebagai katoda, diberi pendingin sedangkan elektroda bagian atas yang berfungsi
sebagai anoda diberi elemen pemanas untuk memanaskan substrat 2.1.1.2 Sistem Pemanas
Untuk mengukur dan mempertahankan suhu pemanas pada substrat, digunakan alat pengukur suhu yang dilengkapi dengan termostrat. Sistem ini
terdiri dari alat pemanas dan pengontrol suhu yang bekerja secara otomatis.
