31 2. Sistem Pemanas
Alat ini dihubungkan dengan kontrol suhu yang bekerja secara otomatis untuk mengatur suhu substrat.
3. Sistem Vakum Digunakan pompa rotari dan pompa difusi untuk mengeluarkan gas-
gas sisa dalam tabung reaktor plasma. Alat ini dapat menghampakan tabung sampai dengan tekanan berorde
6
10
−
Torr. 4. Alat pengukur dan pengontrol tekanan
Alat pengukur tekanan digunakan untuk membaca tingkat kevakuman tabung dan tekanan gas argon yang dideposisikan di dalam tabung
reaktor plasma. Tekanan gas Argon di dalam tabung reaktor plasma dapat diubah-ubah dengan mengatur laju aliran gas yang masuk ke
dalam tabung. 5. Sistem tegangan tinggi DC
Tegangan tinggi DC digunakan untuk memberi percepatan partikel ion-ion Argon di dalam tabung reaktor plasma lucucan pijar.
3.2.2.3. Alat-alat Karakterisasi Lapisan Tipis S
n
O
2
1. Sistem pengukur resistansi Sampel yang diamati diukur dengan profesional multimeter digital
yang diset pada tahanan, nilai resistansi yang terukur menunjukan adanya sifat kelistrikan pada sampel.
32 2. SEM Scanning Electron Mictroscope dan EDXS Energy Dispersive
X-Ray Specrtoscopy SEM digunakan untuk mengetahui struktur morfologi permukaan
lapisan tipis dan EDXS digunakan untuk menganalisis komposisi kimia lapisan tipis yang terbentuk.
3.3. Prosedur Penelitian
Urutan kerja dalam penelitian ini dibagi menjadi tiga tahap, yaitu tahap preparasi sampel, tahap pendeposisian lapisan tipis dan tahap karakterisasi lapisan
yang terbentuk.
3.3.1. Preparasi sampel
Dalam penelitian ini target yang digunakan adalah
2
O S
n
. Target
2
O S
n
telah tersedia dalam keadan jadi, berbentuk bundar dengan diameter 60 mm, tebal 3 mm dan berat 30 gram.
Substrat dibuat dari kaca slide microscope yang dipotong-potong dengan ukuran 1,2 x 2,5 x 0,1 cm. Kemudian dicuci dengan air bersih yang diberi
deterjen dengan menggunakan ultrasonic cleaner selama 30 menit. Setelah itu dikeringkan menggunakan hair dryer. Setelah selesai kemudian disimpan dalam
plastik klip supaya terlindung dari kotoran luar.
