21 Gambar 2.7. Cacat titik point defect dalam sebuah kisi kristal Beiser Artur,
1981. a kekosongan vacancy dan cacat interstisi interstisi defect. b cacat substitusi substitusional defect
Kekosongan yaitu terdapatnya tempat kosong bilamana sebuah atom lepas dari posisi kisi normal Van Vlack, 1991. Cacat interstisi yaitu apabila sebuah
atom menempati suatu keadaan yang tidak normal sehingga terdesak diantara atom-atom pada kisi tuan rumah Trethewey, 1991. Atom interstisi bisa berupa
atom tuan rumah atau atom asing Van Vlack, 1991. Cacat substitusi yaitu adanya atom asing yang menempati suatu kedudukan pada kisi yang seharusnya
diisi oleh atom tuan rumah Trethewey, 1991.
2.3. Karakterisasi Lapisan Tipis SnO
2
2.3.1. Resistansi dan Konduktivitas
Sifat listrik dari pengahantar dapat dicirikan dari resistivitas ρ hambatan
jenis dan konduktivitas σ daya hantar. Konduktivitas berbanding terbalik
dengan resistivitas. Resistivitas dan konduktvitas merupakan besaran-besaran volumetric yang menggambarkan kualitas suatu penghantar listrik Suyoso, 2003
Konduktivitas adalah kemampuan bahan dalam menghantarkan arus listrik, sedangkan resistivitas adalah kemampuan bahan melawan aliran listrik
Isaacs A., 1994.
22 Bila pada ujung-ujung semikonduktor dihubungkan dengan beda potensial
maka akan timbul medan listrik pada setiap titik di dalam semikonduktor tersebut yang menghasilkan arus listrik I. secara matematis, arus yang mengalir pada
semikonduktor adalah
R V
I =
………………………………………… .8 dengan I Ampere adalah arus listrik, V Volt merupakan beda potensial ujung-
ujung semikonduktor, sedangkan R Ω merupakan resistansi yang menyatakan
karakteristik semikonduktor. Menurut hokum Ohm, rapat arus J sebanding dengan kuat medan listrik E. Secara matematis ditulis :
E J
σ =
………………………………………….9 dengan J merupakan rapat arus Am
2
, σ merupakan konduktivitas listrik
semkonduktor Ω
-1
m
-1
dan E merupakan kuat medan listrik Vm. rapat arus yang mengalir pada semikonduktor adalah :
A I
J =
………………………………………….10 dengan A adalah luas penampang semikonduktor m
-2
. Bila kuat medan listrik dalam suatu semikonduktor dianggap serba sama
maka kuat medan listrik adalah :
l V
E =
………………………………………..11 dengan l merupakan panjang semikonduktor m. Dengan mensubstitusikan
persamaan 5 ke dalam persamaan 3, diperoleh
l V
J σ
= ……………………………………...12
