25
3 Arus basis jauh lebih kecil daripada dua arus lainnya
I
B
« I
C
I
B
« I
E
Malvino, 1994:121
2.4. Cara Kerja Transistor Bipolar
Tabel 2.1 Cara Kerja Transistor Bipolar
Daerah aktif EBC
Saturation EBC
Transistor beroperasi sebagai penguat dan I
C
= β.I
B
. daerah kerja transistor normal adalah pada daerah aktif, yaitu ketika arus I
C
konstan
terhadap
Transistor dalam keadaan “FULLY- ON” , I
C
= I
saturation
yaitu mulai dari V
CE
= 0 Volt sampai kira-kira 0,7 Volt..
hal ini
Daerah aktif EBC
Saturation EBC
berapapun nilai V
CE
dan arus I
C
hanya bergantung dari besar arus I
B
linier region. Adapun syarat untuk mengoperasikan
transistor pada rangkaian linier, yaitu: 1. Diode emitter harus dibias maju
2. Diode kolektor harus dibias balik 3. Tegangan pada diode kolektor harus
lebh kecil daripada tegangan breakdown.
disebabkan oleh efek p-n junction kolektor basis yang membutuhkan
tegangan yang cukup agar mampu mengalirkan electron sama seperti
diode.
Cut Off EBC
Breakdown EBC
Transistor dalam keadaan “FULLY-OFF” , I
C
= 0 yaitu daerah dimana V
CE
masih cukup kecil sehingga arus I
C
= 0 atau I
B
= 0 transistor dalam kondisi off.
Adalah jatuh tegangan minimal pada diode untuk dapat mengalirkan arus.
26
2.5. Karakteristik Transistor 2N3904
JenisTransistor 2N3904 adalah transistor semikonduktor sentral silikon NPN transistor yang dirancang untuk tujuan umum dengan sinyal kecil dan
aplikasi beralih. Maximum Ratings
T 25 kecuali dinyatakan berbeda Tabel 2.2 karakteristik Transistor 2N3904
Symbol Parameter
Value Unit
V
CBO
Collector-Base Voltage I
E
= 0 60
V V
CEO
Collector-Emitter Voltage I
B
= 0 40
V V
EBO
Emitter-Base Voltage I
C
= 0 6
V I
C
Collector Current 200
mA P
tot
Total Dissipation at T
C
= 25 C
625 mW
T
stg
Storage Temperature -65 to 150
C T
j
Max. Operating Junction Temperature 150
C
Tabel 2.3 Electrical Characteristics T
case
25
Symbol Parameter
Test Condition Min.
Typ. Max.
Unit I
CEX
Collector Cut-off Current V
BE
= -3V V
CE
= 30 V 50
nA I
BEX
Base Cut-off Current V
BE
= -3V V
CE
= 30 V 50
nA V
BRCEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage
I
B
= 0 IC = 1 mA
40 V
V
BRCBO
Collector-Base Breakdown Voltage
I
E
= 0 I
C
= 10 µA 60
V V
BREBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
I
C
= 0 I
E
= 10 µA 6
V V
CEsat
Collector-Emitter Saturation Voltage
I
C
= 10 mA I
B
= 1 mA I
C
= 50 mA I
B
= 5 mA 0.2
0.2 V
V
27
Symbol Parameter
Test Condition Min.
Typ. Max.
Unit V
BEsat
Base-Emitter Saturation Voltage
I
C
= 10 mA I
B
= 1 mA I
C
= 50 mA I
B
= 5 mA 0.65
0.85 0.95
V V
H
FE
DC Current Gain I
C
= 0.1 mA V
CE
= 1 V I
C
= 1 mA V
CE
= 1 V I
C
= 10 mA V
CE
= 1 V I
C
= 50 mA V
CE
= 1 V I
C
= 100 mA V
CE
= 1 V 60
80 100
60 30
300
f
r
Transition Frequency I
C
= 10 mA V
CE
= 20 V f = 100 MHz 250
270 MHz
C
CBO
Collector-Base Capacitance
I
E
= 0 mA V
CB
= 10 V f = 1 MHz 4
pF C
EBO
Emitter-Base Capacitance
I
C
= 0 mA V
EB
= 0.5 V f = 1 MHz 18
pF NF
Noise Figure V
CE
= 5 V I
C
= 0.1 mA f = 10 Hz to 15.7 KHz R
G
1 KΩ 5
dB t
d
t
r
Delay Time Rise Time
I
C
= 10 mA I
B
= 1 mA V
CC
= 30 V 35
35 ns
ns t
s
t
f
Storage Time Fall Time
I
C
= 10 mA I
B1
= -I
B2
= 1 mA V
CC
= 30 V 200
50 ns
ns
2.6. Penguat Amplifier
Kategori