BIAS BALIK, KAPASITANSI PERSAMBUNGAN

Gambar 2.107 Tegangan positif menghalangi difusi lebih lanjut Elektron pada daerah n melihat tegangan posistif pada sisi metal dan elektron mengalir. Pembaca harus mengerti tujuan dibuatnya kontak penyearah , seperti yang dijelaskan diatas dan kontak ohmic , yang dibuat untuk menghubungkan daerah atau ke rangkaian luar. , dalam suatu dioda PN silokon tegangan Uj sekitar 0,65 V. Penambahan nilai kecil tegangan UN diatas Uj mengakibatkan perubahan arus yang besar. Bila tegangan yang diterapkan pada dioda dibalik sehingga bahan N dibuat posistif terhadap platina atau bahan P , tegangan pada sisi N dari sambungan bertambah Gambar 1 c . Gambar 2.108 Tegangan yang diterapkan pada dioda dibalik. Bila dioda Schottky dioperasikan dalam mode maju , arus elektron bergerak dari silikon type N Karena elektron bergerak melalui logam berimpendansi rendah waktu rekombinasi τ sangat kecil , bernilai sekitar 10 ps. Ini beberapa kali lebih kecil dari yang didapati pada dioda silikon PN. Simbol rangkaian untuk dioda Schottky adalah Gambar d Gambar 2.109 Dioda Schottky dioperasikan dalam mode maju. Dioda mempunyai karakteristik Ui seperti dioda PN biasa kecuali bahwa tegangan dadal maju dari dioda adalah Uf ≈ 0,3 Volt. Dioda Schottky → Dioda yang tidak mempunyai LAPISAN PENGOSONGAN atau PENYIMPANAN MUATAN → ia dapat dioperasikan NYALA DAN MATI lebih CEPAT dari pada dioda bipolar → banyak digunakan sebagai RANGKAIAN SAKLAR . SWITCHING Dioda ini juga dapat digunakan untuk MENYEARAHKAN FREKUENSI DIATAS 300 MHz Dioda Schottky : biasanya mempunyai BATASAN TEGANGAN YANG RENDAH DAN WAKTU UNTUK OPERASI YANG CEPAT. 2.2.6. DIODA TUNNEL Dioda Tunnel adalah dioda khusus yang di bentuk dari semikonduktor yang dapat membentuk daerah transisi menjadi sangat sempit . Dioda Tunnel masih dalam kondisi normal apabila di gunakan pada gelombang micro , penguat , oscilator dan pembalik frekwensi . Dioda Tunnel mempunyai karakteristik perlawanan negatif , yaitu pada pemberian tegangan muka maju, apabila tegangan muka maju ditambah secara perlahan-lahan, arus maju turut bertambah pula , lihat gambar 1 . Setelah sampai di titik penambahan tegangan muka maju tidak menyebabkan arus di titik L , baru kemudian arus maju naik lagi . Ι TUNNEL BIASA U L P DIODE DIODE Gambar 2.110 Karakteristik I = f U Dioda Tunnel Karakteristik perlawanan negatif ini terjadi bila tegangan muka majunya antara 200 sampai 300 mili volt . Dioda Tunnel ini dapat digunakan pada rangkaian osilator dengan karakteristik perlawanan negatifnya dapat mengembalikan tenaga yang hilang pada saat digunakan untuk berosilasi . PEMAKAIAN DIODA TUNNEL Salah satu pemakaian Dioda Tunnel adalah sebagai peralatan pensaklaran pada kecepatan yang sanga tinggi , dikarenakan proses penerowongan , yang pada dasarnya terjadi pada kecepatan cahaya . Waktu respon dibatasi hanya kapasitansi dioda yang mana ada pada tingkat 1 sampai 10 pf, memungkinkan pensaklaran terjadi dari suatu titik awal kesuatu titik dekat puncak dengan waktu naik serendah 22 p second . waktu naik adalah waktu yang diperlukan untuk berubah dari level 10 ke 90 Dioda Tunnel juga di gunakan sebagai alat penyimpan memori logik . Rangakaian equivalent untuk sinyal kecil Dioda Tunnel ditunjukkan pada gambar 3. Gambar 2.111 Rangkaian equivalent sinyal kecil Dioda Tunnel