BIAS BALIK, KAPASITANSI PERSAMBUNGAN
Gambar 2.107 Tegangan positif menghalangi difusi lebih lanjut Elektron pada daerah n melihat tegangan posistif pada sisi metal dan
elektron mengalir. Pembaca harus mengerti tujuan dibuatnya kontak penyearah , seperti yang dijelaskan diatas dan kontak ohmic , yang
dibuat untuk menghubungkan daerah atau ke rangkaian luar. , dalam suatu dioda PN silokon tegangan Uj sekitar 0,65 V.
Penambahan nilai kecil tegangan UN diatas Uj mengakibatkan perubahan arus yang besar. Bila tegangan yang diterapkan pada dioda
dibalik sehingga bahan N dibuat posistif terhadap platina atau bahan P , tegangan pada sisi N dari sambungan bertambah Gambar 1 c .
Gambar 2.108 Tegangan yang diterapkan pada dioda dibalik.
Bila dioda Schottky dioperasikan dalam mode maju , arus elektron bergerak dari silikon type N
Karena elektron bergerak melalui logam berimpendansi rendah waktu rekombinasi τ sangat kecil , bernilai sekitar 10 ps.
Ini beberapa kali lebih kecil dari yang didapati pada dioda silikon PN. Simbol rangkaian untuk dioda Schottky adalah Gambar d
Gambar 2.109 Dioda Schottky dioperasikan dalam mode maju. Dioda mempunyai karakteristik Ui seperti dioda PN biasa kecuali bahwa
tegangan dadal maju dari dioda adalah Uf ≈ 0,3 Volt. Dioda Schottky
→ Dioda yang tidak mempunyai LAPISAN PENGOSONGAN atau PENYIMPANAN MUATAN → ia dapat
dioperasikan NYALA DAN MATI lebih CEPAT dari pada dioda bipolar → banyak digunakan sebagai RANGKAIAN SAKLAR . SWITCHING
Dioda ini juga dapat digunakan untuk MENYEARAHKAN FREKUENSI
DIATAS 300 MHz Dioda Schottky : biasanya mempunyai BATASAN TEGANGAN YANG RENDAH DAN WAKTU UNTUK OPERASI YANG
CEPAT. 2.2.6. DIODA TUNNEL
Dioda Tunnel adalah dioda khusus yang di bentuk dari semikonduktor yang dapat membentuk daerah transisi menjadi sangat sempit .
Dioda Tunnel masih dalam kondisi normal apabila di gunakan pada gelombang micro , penguat , oscilator dan pembalik frekwensi .
Dioda Tunnel mempunyai karakteristik perlawanan negatif , yaitu pada pemberian tegangan muka maju, apabila tegangan muka maju ditambah
secara perlahan-lahan, arus maju turut bertambah pula , lihat gambar 1 . Setelah sampai di titik penambahan tegangan muka maju tidak
menyebabkan arus di titik L , baru kemudian arus maju naik lagi .
Ι
TUNNEL
BIASA U
L P
DIODE
DIODE
Gambar 2.110 Karakteristik I = f U Dioda Tunnel
Karakteristik perlawanan negatif ini terjadi bila tegangan muka majunya antara 200 sampai 300 mili volt .
Dioda Tunnel ini dapat digunakan pada rangkaian osilator dengan karakteristik perlawanan negatifnya dapat mengembalikan tenaga yang
hilang pada saat digunakan untuk berosilasi .
PEMAKAIAN DIODA TUNNEL
Salah satu pemakaian Dioda Tunnel adalah sebagai peralatan pensaklaran pada kecepatan yang sanga tinggi , dikarenakan proses
penerowongan , yang pada dasarnya terjadi pada kecepatan cahaya . Waktu respon dibatasi hanya kapasitansi dioda yang mana ada pada
tingkat 1 sampai 10 pf, memungkinkan pensaklaran terjadi dari suatu titik awal kesuatu titik dekat puncak dengan waktu naik serendah 22 p
second . waktu naik adalah waktu yang diperlukan untuk berubah dari level 10 ke 90
Dioda Tunnel juga di gunakan sebagai alat penyimpan memori logik . Rangakaian equivalent untuk sinyal kecil Dioda Tunnel ditunjukkan pada
gambar 3.
Gambar 2.111 Rangkaian equivalent sinyal kecil Dioda Tunnel