2.2.8.4. FET SEBAGAI PENGUAT
Penguat SINYAL ANALOG Karena level daya yang relatif kecil dan sangat tingginya tahanan
masukan maka FET itu sendiri mempunyai sifat khusus untuk TINGKAT MASUKAN PENGUAT DEPAN atau PENGUAT AKHIR
PENGUAT ARUS SEARAH, PENGUAT DIFFERENSIAL
UA RD
RD T1
T2 A1
A2 UE2
UE 1 +UQ
-UQ
Gambar 2.145 Penguat Differensial
Yaitu : UA = VDM UE1 - U; VDM ≈ S
RD Z
T1 dan T2 PASANGAN SELEKSI TRANSISTOR YANG IDENTIK
Potensial source terletak pada UGS DIATAS TEGANGAN PULSA SEARAH.
UE1 = UEZ
2.2.8.5. FET SEBAGAI SAKLAR DAN MULTIVIBRATOR
D S
G
Gambar 2.146 FET sebagai saklar
Sifat-sifat fisis statik sesuai dengan saklar mekanik dalam pendekatan barang lebih baik sebagai transistor bipolar
Saklar on FET menghantarkan, TAHANAN KECIL antara drain dan source yang tergantung pada UGS.
Saklar off FET menutup, TAHANAN LEBIH BESAR antara drain dan source yang tergantung pada UGS UGS
≤ Up Karakteristik saklar penghubung : FET - Kanal – n
I III
ID Karakt eristik Hantar
Karakt eristik Lawan Kwadran
I
: Polaritas Normal
Kwadran
III
: Polaritas Inversi
UE UA
+UA
T -UQ
US
Gambar 2.147 Saklar analog dengan J - FET
MULTIVIBRATOR ASTABIL DENGAN PENUTUPAN MOSFET
RD RD
R1 R1
C C
+UQ
Gambar 2.148 Multivibrator astabil dengan penutupan Mosfet MACAM-MACAM MOSFET
Untuk mempelajari sifat -sifat dasar Mosfet kita harus mengenal macam- macam Mosfet yang di bedakan menjadi 2 jenis yaitu :
1. Type Depletion Mosfet D Mosfet . 2. Type Enhancement Mosfet E Mosfet .
Kedua jenis Mosfet tersebut dibedakan berdasarkan cara pemberian lapisan Substratenya . Pada Depletion Mosfet lapisan Substrate di
pasang dalam kanal tidak menyentuh oksida logam S
i 2
sehingga ada sisa kanal yang sempit .
Pada jenis kedua Enhancement Mosfet , lapisan Substrate di pasang pada kanal langsung menembus lapisan oksida logam S
i 2
sehingga kanal tertutup sedang antara Drain dan Source terpisah oleh Substrate .
Bahan yang digunakan sebagai kanal dan Substrate sama-sama Semikonduktor tapi type berlawanan .
2.2.8.6. BIAS MOSFET
Untuk mengoperasikan hidup on dan mati off dari sebuah Mosfet di perlukan Bias Tegangan pada Gate dan Source U
GS
dan tegangan catu antara Drain dan Source U
DD
Bias U
GS
di bedakan menjadi 2 macam 1. Bias peningkatan Enhancement Mosfet ⇒ U
GS
+ Positif 2. Bias pengosongan Depletion Mosfet ⇒ U
GS
- negatif
Perhatikan gambar berikut , menjelaskan cara memberi bias pada Mosfet
Gambar 2.149 Memberi bias pada Mosfet
2.2.8.7. D-MOSFET
Gambar 2.150 D Mosfet dengan Depletion Mode
D Mosfet Type N
Gambar 2.151 D Mosfet dengan Enhancement Mode
CARA KERJA D MOSFET
D Mosfet dapat dioperasikan dengan memberi Bias pada gatenya yaitu : 1. Bias Depletion U
GS
Negatif 2. Bias Enhancement Mode U
GS
Positif
1. D Mosfet dengan Depletion Mode
Tegangan Catu Drain dan Source U
DS
akan menyebabkan arus mengalir dari Drain ke Source I
D
melalui kanal yang sempit tersebut . Tegangan U
GG
yang mencatu Gate dan Source U
GS
akan mengontrol lebar sempitnya kanal . Bila kanal lebar jumlah elektron yang melewati
kanal dari Source ke Drain semakin banyak dan arus listrik I
D
besar . Dan sebaliknya bila kanal makin sempit jumlah elektron yang melewati akan
sedikit dan arus listrik I
D
semakin kecil .Jadi besar kecilnya arus Drain I
D
akan di kendalikan oleh tegangan Gate dan Source U
GS
. Jika tegangan U
GS
makin negatif mencapai U
GS
off maka arus I
D
semakin kecil ≈ 0 .Bila tegangan U
GS
≈ 0 Gate Source hubung singkat arus Drain I
D
makin besar . Tegangan U
GS
yang menyebabkan I
D
≈ 0 di sebut tegangan U
GS
cut off atau U
G S
off Untuk D Mosfet negatif .
2. D Mosfet dengan Enhancement Mode
Seperti penjelasan di atas , hanya Gate di beri tegangan positif + U
GS
. Bila Gate makin positif terhadap Source maka daya hantar kanal Mosfet akan semakin besar . Hal ini menyebabkan arus Drain yang menuju
Source I
D
mencapai maksimum . Karena D Mosfet mempunyai arus saat U
GS
≈ 0 maka juga di sebut Mosfet “Normal ON “ . I
DSS
saat U
GS
≈ 0 bukan arus Drain maksimum .
TAHANAN ISOLASI Kita ketahu tahanan input Zi Mosfet adalah tahanan antara Gate dan
Source . Jadi Zi sangat tinggi dalam Gega ohm G Ω , Karena antara gate G dan Source S di sekat oleh oksida logam Si 0
2
, yang bersifat isolator.
Gambar 2.152 Kurva Transkonduktansi I
D
- U
GS
D Mosfet Chanal N
Gambar 2.153 Kurva Karakteristik Output D Mosfet Chanal N
Kategori