2. D Mosfet dengan Enhancement Mode
Seperti penjelasan di atas , hanya Gate di beri tegangan positif + U
GS
. Bila Gate makin positif terhadap Source maka daya hantar kanal Mosfet akan semakin besar . Hal ini menyebabkan arus Drain yang menuju
Source I
D
mencapai maksimum . Karena D Mosfet mempunyai arus saat U
GS
≈ 0 maka juga di sebut Mosfet “Normal ON “ . I
DSS
saat U
GS
≈ 0 bukan arus Drain maksimum .
TAHANAN ISOLASI Kita ketahu tahanan input Zi Mosfet adalah tahanan antara Gate dan
Source . Jadi Zi sangat tinggi dalam Gega ohm G Ω , Karena antara gate G dan Source S di sekat oleh oksida logam Si 0
2
, yang bersifat isolator.
Gambar 2.152 Kurva Transkonduktansi I
D
- U
GS
D Mosfet Chanal N
Gambar 2.153 Kurva Karakteristik Output D Mosfet Chanal N
2.2.8.8. E MOSFET
Mosfet jenis Enhancement E Mosfet atau Mosfet peningkatan hanya bekerja pada bias Enhancement Mode atau U
GS
+ Positif
Gambar 2.154 E Mosfet dengan Enhancement Mode CARA KERJA
Bila U
G S
≈ 0 tegangan U
DD
akan memaksa elektron dari Source ke Drain atau arus listrik dari Drain ke Source . Tapi karena lapisan Substrate
menutup kanal dan bermuatan positif , maka akan menahan menyekat arus tersebut dan menyebabkan tidak ada arus mengalir sehingga arus
Drain I
D
≈ 0 . Bila Gate di beri tegangan positif U
GS
+ maka pada sambungan antara Subtsrate dan oksida logam S
i 2
timbul muatan elektron negatif dan membentuk kanal N Umpamakan sebuah Kondensator .
Melebarnya kanal akan menyebabkan banyak arus listrik mengalir dari Source ke Drain dan terjadilah arus listrik mengalir dari Drain ke Source
I
D
. Tegangan U
GS
makin positif arus Drain I
D
semakin besar .
Tegangan U
GS
minimal yang dapat menimbulkan kanal sempit dan memulai arus I
D
mengalir atau E Mosfet ON di sebut tegangan ambang thereshold voltage U
T
4. DESAH MOSFET NOISE
Mosfet selain mempunyai tahanan masukan tinggi juga mempunyai Noise Desah sangat rendah bila di banding Transistor. Karena struktur
bahannya untuk kanal saluran terbuat dari satu jenis bahan semikonduktor N atau P saja tanpa sambungan sebagai jalannya arus
Drain ID menuju Source.
Gambar 2.155 Struktur Bahan dan Simbol D Mosfet Chanal N
Gambar 2.156a Karakteristik Output D Mosfet Cahanal N