DIODA SCHOTTKY BIAS MAJU , KAPASITANSI PENYIMPANAN

Rs biasanyan 1 sampai dengan 5 ohm , Ls dari 0,1 sampai 4 nH, dan C dari 0,35 sampai 100pf . Induktansi dan kapasitansi yang sangat rendah memungkinkan Dioda Tunnel di gunakan di dalam osilator microwave pada frekwensi didalam tingkat 10 GHz . Resistansi negatif dari Dioda Tunnel memungkinkan Dioda Tunnel di gunakan didalam osilator relaksasi.

2.2.7. TRANSISTOR

Transistor Difusi Prinsip Pembuatan : Bahan dasar tipe P atau N yang didoping dikotori untuk memb ang- kitkan Difusi pada layer yang di harapkan MESA Planar “Teknik untuk Ge” “Teknik untuk Si” Transistor Epitaksial Prinsip P embuatan : Bahan dasar dengan tahanan ohm rendah tipe P dan N yang ditipiskan, layer dengan tahanan tinggi melalui sus unan yang diton- jolkan, kemudian pembentukan layer mela- lui Difusi MESA Planar Gambar 2.112 Prinsip pembuatan Transistor

2.2.7.1. PROSES PEMBUATAN Contoh Langkah proses pembuatan

Transistor - epitaksial - planar . 1. Pada kristal N - Si dengan tahanan ohm rendah dengan doping tinggi ; selanjutnya di gunakan pada lapisan tipis layer N - epitaksial dengan tahanan ohm tinggi . Dengan demikian layer pengaman di tengah oksidasi Si 0 2. Di buatkan sebuah jendela jendela basis dalam layer Si 0 , dikotori dengan B Valensi 3 → tipe P pada layer penghantar basis , kemudian di tumbuhi ditutupi layernya dengan Si 0 . 3. Jendela emiter ditentukan dahulu dalam layer Si 0 lalu didopping dikotori dengan phosphor → tipe N - menjadi layer penghantar emiter , lalu ditimbuni lagi dengan layer Si 0 . 4. Menentukan jendela untuk tempat kedudukan kontak , lalu kontak metal di tempatkan → akhirnya kutub kolektor . Penempatan akhir : – Perencanaan kotak – Pemasukan , mengupas dengan plastik buatan . Pembuatan miniatur Sifat - sifat Transistor - epitaksial - Penguatan tinggi - kapasitas kecil - frekuensi cut-off tinggi - Tegangan beban UCE rendah - batasan modulasi Pencampuran yang saling mempengaruhi besar - arus beban kecil pada waktu hubung pendek Gambar 2.113 Langkah proses pembuatan Transistor

2.2.7.2. PENGARUH TEMPERATUR

Suatu semi konduktor pada kondisi temperatur yang besar menghantar sendiri Ketentuan dasar : Temperatur bertambah, arus menjadi lebih besar . Temperatur berkurang, arus menjadi lebih kecil Ketentuan itu berlaku bila suatu semi konduktor memperoleh panas dari dalam semi konduktor itu sendiri dan menerima panas dari luar. Hasil dari uraian di atas, kurva karakteristiknya . Temperatur itu mempunyai pengaruh pada arus kolektor I C berturut-turut I E , langsung berpengaruh pula pada – Arus bocor kolektor I CEO , Arus Kolektor-Emitor pada keadaan Basis terbuka – Penguatan arus searah berturut-turut A Hal diatas adalah I C E pada + AV → lebih besar Hal diatas adalah I C E pada _ AV → lebih kecil Akibatnya → penghalauaan pengendalioan temperatur harus di usahakan .

2.2.7.3. KURVA KARAKTERISTIK

0,5 1 0,4 0,8 IB mA UBEV IB UBE Karakteristik Masukan Input Characteristic 50 100 10 20 IC mA UCEV ICEO + X Karakteristik Keluaran Output Characteristic Gambar 2.114 Kurva karakteristik transistor Pengaruh Temeperatur terhadap U BE Atas dasar pengalaman harganya di tentukan berlaku :ΔU BE C ≈ 2 m V C Setiap temperatur1 C tegangan Basis-Emitor sekitar 2 m V Contoh : Berapa besar perubahan tegangan keluaran tegangan Output U CE , jika V = 10 C, V = 50, merupakan penguatan tegangan Δ U CE = V . Δ U BE . Δ V = 50.2.10 m V Penyelasaian : Δ U CE = 1,000 m V = 1 V Pengaruh temperatur ini diatasi dengan mereduksinya secara rangkaian teknik seperti Kopling pelawan Sifat Frekuensi → Bersifat dinamis berubah-ubah Sifat pada frekuensi tinggi – Penguatan arus berkurang Amplitudo keluaran – Tahanan keluaran tahanan output atau impedansi berkurang keluaran berkurang – Mempengaruhi jalannya waktu periode pengisian muatan Pergeseran phasa pada masukan dan keluaran – Mengakibatkan perubahan pembuangan muatan kapasitas C Pengertian : Suatu frekuensi, yang besarnya tertentu mempunyai harga penurunan pada frekuensi yang lebih rendah disebut : Frekuensi batas F G Frekuensi batas : frekuensi dengan : 2 2 ≈ 707 mempunyai penurunan sebesar 3 dB turun 3 deci - Bell Gambar 2.115a Gambaran secara grafik : Gambar 2.116b Jalannya amplitudo : Frekuensi batas bisa di pertinggi oleh bangunan konstruksi yaitu → Lapisan basis yang tipis , lapisan kolektor yang kecil → Transistor frekuensi tinggi Harga karakteristik kerja : Merupakan sifat-sifat yang dimiliki oleh transistor, misalnya penguat arus yang di tentukan oleh I C frekuensi batas dsb . Harga batas kerja : Harga batasan-batasan maksimum Seperti : I C max , U CE max , P Vmax yang bila berlangsung melampaui waktu yang di tentukan , akan terjadi kerusakan kehancuran elemen Temperatur maksimum dari lapisan penghalang dan rugi daya Temperatur lapisan kolektor hendaknya tidak dilampaui. V J max ≈ 200 C