Rs biasanyan 1 sampai dengan 5 ohm , Ls dari 0,1 sampai 4 nH, dan C dari 0,35 sampai 100pf .
Induktansi dan kapasitansi yang sangat rendah memungkinkan Dioda Tunnel di gunakan di dalam osilator microwave pada frekwensi didalam
tingkat 10 GHz . Resistansi negatif dari Dioda Tunnel memungkinkan Dioda Tunnel di
gunakan didalam osilator relaksasi.
2.2.7. TRANSISTOR
Transistor Difusi Prinsip Pembuatan :
Bahan dasar tipe P atau N yang didoping dikotori untuk memb ang-
kitkan Difusi pada layer yang di harapkan
MESA Planar
“Teknik untuk Ge” “Teknik untuk Si”
Transistor Epitaksial Prinsip P embuatan :
Bahan dasar dengan tahanan ohm rendah tipe P dan N yang ditipiskan, layer dengan
tahanan tinggi melalui sus unan yang diton- jolkan, kemudian pembentukan layer mela-
lui Difusi
MESA Planar
Gambar 2.112 Prinsip pembuatan Transistor
2.2.7.1. PROSES PEMBUATAN Contoh Langkah proses pembuatan
Transistor - epitaksial - planar . 1. Pada kristal N - Si dengan tahanan ohm rendah dengan doping
tinggi ; selanjutnya di gunakan pada lapisan tipis layer N - epitaksial dengan tahanan ohm tinggi . Dengan demikian layer pengaman di tengah
oksidasi Si 0 2. Di buatkan sebuah jendela jendela basis dalam layer Si 0 , dikotori
dengan B Valensi 3 → tipe P pada layer penghantar basis , kemudian di tumbuhi ditutupi layernya dengan Si 0 .
3. Jendela emiter ditentukan dahulu dalam layer Si 0 lalu didopping dikotori dengan phosphor
→ tipe N - menjadi layer penghantar emiter , lalu ditimbuni lagi dengan layer Si 0 .
4. Menentukan jendela untuk tempat kedudukan kontak , lalu kontak metal di tempatkan → akhirnya kutub kolektor .
Penempatan akhir :
– Perencanaan kotak
– Pemasukan , mengupas dengan plastik buatan . Pembuatan
miniatur
Sifat - sifat Transistor - epitaksial - Penguatan tinggi
- kapasitas kecil - frekuensi cut-off tinggi
- Tegangan beban UCE rendah
- batasan modulasi Pencampuran yang saling mempengaruhi besar - arus beban kecil pada waktu hubung
pendek
Gambar 2.113 Langkah proses pembuatan Transistor
2.2.7.2. PENGARUH TEMPERATUR
Suatu semi konduktor pada kondisi temperatur yang besar menghantar sendiri Ketentuan dasar :
Temperatur bertambah, arus menjadi lebih besar . Temperatur
berkurang, arus menjadi lebih kecil Ketentuan itu berlaku bila suatu semi konduktor memperoleh panas dari
dalam semi konduktor itu sendiri dan menerima panas dari luar. Hasil dari uraian di atas, kurva karakteristiknya .
Temperatur itu mempunyai pengaruh pada arus kolektor I
C
berturut-turut I
E
, langsung berpengaruh pula pada –
Arus bocor kolektor I
CEO
, Arus Kolektor-Emitor pada keadaan Basis terbuka
– Penguatan arus searah berturut-turut A
Hal diatas adalah I
C E
pada + AV → lebih besar
Hal diatas adalah I
C E
pada _ AV → lebih kecil
Akibatnya → penghalauaan pengendalioan temperatur harus di
usahakan .
2.2.7.3. KURVA KARAKTERISTIK
0,5 1
0,4 0,8
IB mA
UBEV IB
UBE
Karakteristik Masukan Input Characteristic
50 100
10 20
IC mA
UCEV ICEO
+ X
Karakteristik Keluaran Output Characteristic
Gambar 2.114 Kurva karakteristik transistor Pengaruh Temeperatur terhadap U
BE
Atas dasar pengalaman harganya di tentukan berlaku :ΔU
BE
C ≈ 2
m V C
Setiap temperatur1 C tegangan Basis-Emitor sekitar 2 m V
Contoh : Berapa besar perubahan tegangan keluaran tegangan Output U
CE
, jika V = 10 C, V = 50, merupakan penguatan tegangan
Δ U
CE
= V . Δ U
BE
. Δ V = 50.2.10 m V Penyelasaian :
Δ U
CE
= 1,000 m V = 1 V Pengaruh temperatur ini diatasi dengan mereduksinya secara rangkaian
teknik seperti Kopling pelawan
Sifat Frekuensi → Bersifat dinamis berubah-ubah
Sifat pada frekuensi tinggi –
Penguatan arus berkurang Amplitudo keluaran –
Tahanan keluaran tahanan output atau impedansi berkurang keluaran berkurang
– Mempengaruhi jalannya waktu periode pengisian muatan
Pergeseran phasa pada masukan dan keluaran –
Mengakibatkan perubahan pembuangan muatan kapasitas C Pengertian : Suatu frekuensi, yang besarnya tertentu mempunyai harga
penurunan pada frekuensi yang lebih rendah disebut : Frekuensi batas F
G
Frekuensi batas : frekuensi dengan :
2 2
≈ 707
mempunyai penurunan sebesar 3 dB turun 3
deci - Bell
Gambar 2.115a Gambaran secara grafik :
Gambar 2.116b Jalannya amplitudo : Frekuensi batas bisa di pertinggi oleh bangunan konstruksi
yaitu → Lapisan basis yang tipis , lapisan kolektor yang kecil → Transistor frekuensi tinggi
Harga karakteristik kerja : Merupakan sifat-sifat yang dimiliki oleh transistor, misalnya penguat arus
yang di tentukan oleh I
C
frekuensi batas dsb . Harga batas kerja :
Harga batasan-batasan maksimum Seperti : I
C max
, U
CE max
, P
Vmax
yang bila berlangsung melampaui waktu yang di tentukan , akan terjadi kerusakan kehancuran elemen
Temperatur maksimum dari lapisan penghalang dan rugi daya Temperatur lapisan kolektor hendaknya tidak dilampaui.
V
J max
≈ 200
C