Kesimpulan Dari hasil analisa yang sudah dijelaskan Ucapan terima kasih Ucapan terima kasih diberikan kepada

Jurnal Kimia Unand ISSN No. 2303-3401, Volume 2 Nomor 3, Agustus 2013 51 Sedangkan pada posisi hollow untuk penjatuhan empat atom membentuk bridge tilted dan ada yang terikat secara fisika oleh permukaan grafena. Ketiga atom aluminium tersebut membentuk senyawa Al 3 asiklik namun masih ada interaksi secara fisika dengan permukaan Gambar 9 . Nilai ∆E rata-rata sebesar 4,2739 eV Tabel 1. Nilai energi ikatan BE molekul berkisar antara -4782,588 kcalmol sampai -4815,1589 kcalmol. Gambar 9. Penjatuhan 4 atom aluminium posisi hollow membentuk senyawa Al 3 asiklik Nilai energi ikatan per atom Aln untuk posisi bridge empat atom mampu menaikkan nilai BE per atom kembali dimana pada posisi dua atom masih bernilai kecil. Berbeda halnya pada penjatuhan empat atom ini yang cenderung naik dengan bertambahnya jumlah atom yang dijatuhkan pada permukaan grafena. Semakin banyak atom yang dijatuhkan pada permukaan grafena maka semakin tinggi juga nilai BE per atom aluminium Aln. Hal ini menunjukkan nilai yang sebanding antara jumlah atom yang dijatuhkan dengan nilai BE per atom aluminium Aln yang dihasilkan nantinya setelah dilakukan optimasi. Tabel 3. Data hasil energi ikatan BE per atom aluminium rata-rata kcalmol Jumlah atom Al On top Bridge Hollow 2 atom 27,67326 28,31876 31,05548 4 atom 43,00913 43,1734 43,85199 Dari semua data penjatuhan atom aluminium pada permukaan grafena, nilai ∆E yang didapatkan untuk menurunkan ∆E grafena berkisar antara 3,4641 - 6,0301 eV. Nilai ∆E dari permukaan grafena planar memiliki ∆E = 7.2093 eV bersifat isolator. Bila dibandingka n antara ∆E permukaan grafena planar diketahui bahwa penyerapan atom aluminium pada permukaan grafena mampu menurunkan nilai ∆E grafena dengan adanya adsorpsi atom aluminium. Diramalkan bahwa aluminium berpotensi mengubah sifat grafena dari isolator menjadi semikonduktor sampai adsorpsi 4 atom aluminium pada permukaan grafena.

IV. Kesimpulan Dari hasil analisa yang sudah dijelaskan

maka dapat disimpulkan bahwa untuk mengetahui adsorpsi atom aluminium pada permukaan grafena planar dapat dilakukan analisa terlebih dahulu melalui kimia komputasi program HyperChem AM1 dengan posisi tegak lurus on top, jembatan dua bridge, dan pusat heksagonal hollow. Terlihat dari gambar struktur yang dihasilkan tidak semua atom aluminium dapat diserap, kebanyakan atom aluminium akan dilepas desorpsi dan ada juga yang mampu merubah struktur grafena awal. Penyerapan aluminium oleh permukaan grafena mampu dapat menurunkan ∆E grafena. Penjatuhan 2 dan 4 atom aluminium menghasilkan nilai ∆E yang berkisar antara 3,4641 - 6,0301 eV. Diramalkan aluminium berpotensi mengubah sifat grafena dari isolator menjadi semikonduktor. Penjatuhan 4 atom aluminium didapatkan nilai ∆E minimum yakni pada posisi bridge menghasilkan nilai ∆E terkecil sebesar 3,4641 eV. Pada umumnya terbentuk senyawa Al 2 asiklik serta Al 3 dan Al 4 siklik maupun asiklik yang terbentuk pada permukaan grafena. Terjadinya desorpsi atom aluminium sehingga grafena bisa berfungsi sebagai katalis untuk membentuk beberapa molekul aluminium. Jurnal Kimia Unand ISSN No. 2303-3401, Volume 2 Nomor 3, Agustus 2013 52

V. Ucapan terima kasih Ucapan terima kasih diberikan kepada

Dosen Pembimbing Ibu Imelda, M.Si dan Bapak Emdeniz, MS yang sudah mengarahkan dan membimbing dalam melakukan penelitian ini serta kepada PT. Semen Gresik Tbk yang sudah memberikan beasiswa pendidikan serta kepada rekan-rekan yang telah membantu memberikan dukungannya. Referensi 1. Geim A.K and Novoselov K. S. 2007. The Rise of Graphene. Nature Materials. pp. 183-190 Vol 6. 2. Kusuma T.S, Emdeniz, dan Arif T.S. 2007. Pengaruh Logam Li pada Adsorpsi Atom-atom H oleh Permukaan Grafena Planar. J. Ris. Kim. Vol. 1 No. 1. 3. Halford B. 2006. Graphene Exed as The Next Big Thing in Carbon-Based Electronics. Chemistry and Engeneering. April 17, Vol. 34. 4. Lier G.V, et.al. 2005. Theoritical Analysis of Flourine Addition to Single Walled Carbon Nantubes; Functiona- lization Routes and Addition Patterns. J. Phys. Chem. B 109, pp. 6153-6158. 5. Zhao X. B, Xiau B, Fletcher A. J, and Thomas K. M.

2005. Hydrogen