Kesimpulan Dari hasil analisa yang sudah dijelaskan Ucapan terima kasih Ucapan terima kasih diberikan kepada
Jurnal Kimia Unand ISSN No. 2303-3401, Volume 2 Nomor 3, Agustus 2013
51
Sedangkan pada posisi hollow untuk penjatuhan empat atom membentuk bridge
tilted dan ada yang terikat secara fisika oleh
permukaan grafena. Ketiga atom aluminium tersebut membentuk senyawa Al
3
asiklik namun masih ada interaksi secara fisika
dengan permukaan Gambar 9 . Nilai ∆E
rata-rata sebesar 4,2739 eV Tabel 1. Nilai energi ikatan BE molekul berkisar antara
-4782,588 kcalmol
sampai -4815,1589
kcalmol.
Gambar 9. Penjatuhan 4 atom aluminium posisi
hollow membentuk senyawa Al
3
asiklik Nilai energi ikatan per atom Aln untuk
posisi bridge empat atom mampu
menaikkan nilai BE per atom kembali dimana pada posisi dua atom masih bernilai
kecil. Berbeda halnya pada penjatuhan empat atom ini yang cenderung naik
dengan bertambahnya jumlah atom yang dijatuhkan
pada permukaan
grafena. Semakin banyak atom yang dijatuhkan pada
permukaan grafena maka semakin tinggi juga nilai BE per atom aluminium Aln.
Hal ini menunjukkan nilai yang sebanding antara jumlah atom yang dijatuhkan dengan
nilai BE per atom aluminium Aln yang dihasilkan nantinya setelah dilakukan
optimasi. Tabel 3. Data hasil energi ikatan BE per atom
aluminium rata-rata kcalmol
Jumlah atom Al
On top Bridge
Hollow 2 atom
27,67326 28,31876 31,05548
4 atom 43,00913
43,1734 43,85199
Dari semua
data penjatuhan
atom aluminium pada permukaan grafena, nilai
∆E yang didapatkan untuk menurunkan ∆E grafena berkisar antara 3,4641 - 6,0301 eV.
Nilai ∆E dari permukaan grafena planar
memiliki ∆E = 7.2093 eV bersifat isolator. Bila dibandingka
n antara ∆E permukaan grafena planar diketahui bahwa penyerapan
atom aluminium pada permukaan grafena mampu menurunkan nilai ∆E grafena
dengan adanya adsorpsi atom aluminium. Diramalkan bahwa aluminium berpotensi
mengubah sifat grafena dari isolator menjadi semikonduktor sampai adsorpsi 4
atom aluminium pada permukaan grafena.