Penalaan harga Harga U Resitansi drain-source dalam keadaan bekerja

103 RS 10M  5K  +30V 2N 5457 a RS 10M  3K  +25V 2N 5484 b Gambar 5.12. Rangkaian FET Common Source Resistansi sumber ini menghasilkan arus cerat kira-kira 2,5 mA. Tegangan Gate-Source adalah U = - I R = -2,510 200 = -0,5 V GS D S -3 Tegangan Drain-Source adalah V 17 = 200 + 35000 - 2,510 - 30 = R + R I - U = U S D D DD DS Contoh 2 2N 548 dalam Gambar 1.12b mempunyai g mo = 2,5 mS. Berapa harga dari R S yang menset bias titik tengah? Penyelesaian: R 1 g = 1 2,510 = 400 S mo -3   Resistor ini menset ID yang mendekati setengah I DSS . Contoh 3 Lembar data dari 2N 5457 menunjukkan g mo minimum 1 mS dan gmo maksimum 5 mS. Ini berarti bahwa jika kita bekerja dengan ribuan 2N 5457 kita akan mendapatkan beberapa yang mempunyai gmo serendah 1 mS dan beberapa dengan g mo setinggi 5 mS. Jika sebuah 2N 5457 di gunakan dalam rangkaian bias yang dibuat banyak , berapa harga R S yang diperlukan untuk menset bias titik tengah ? 104 Penyelesaian: Disini kita harus berkompromi dan menggunakan harga rata-rata, jika kita menemukan harga parameter yang sangat menyebar yang paling baik adalah menggunakan harga rata-rata geometris. Harga rata-rata geometris untuk transkonduktansi diberikan oleh persamaan berikut: g = g g mo momin momax ……..………………..…..persamaan 5.13 Dengan mensubtitusikan harga minimum dan maksimum dari g mo 2N 5457 kita dapatkan g = 1 10 510 = 2,24 mS mo -3 -3 Karena itu, R 1 g = 1 2,2410 = 446 S mo -3   b Grafik bias sendiri Dengan persamaan-persamaan 5.2; 5.6; dan 5.10, dapat diturunkan hubungan antara arus drain, transkonduktansi dan resistor bias source. Grafik ini berlaku untuk semua JFET. Grafik tersebut akan membantu menentukan titik Q dari rangkaian terbias sendiri. Contoh 4 Sebuah rangkaian terbias sendiri menggunakan JFET dengan I DSS = 10 mA, R S = 100 , dan g mo = 3000 S. Berapa besarnya arus cerat ? 1,0 0,9 0,8 0,7 0,6 0,5 0,4 0,3 0,2 0,1 0,1 0,2 0,3 0,5 0,7 1 2 3 4 5 7 10 I I R gm0 S D DSS Gambar 5.13 Kurva Transkonduktansi 105 Penyelesaian 0,3 = 100 300010 = R g -6 S mo Karena I DSS diketahui sama dengan 10 mA, I = 0,78 I = 0,7810 mA = 7,8 mA D DSS Contoh 5 Sebuah JFET mempunyai g mo = 8000 S. Berapa harga R S yang kita perlukan untuk mendapatkan arus I D seperempat I DSS . Penyelesaian: Diketahui I D I DSS = 0,25. Dalam Gambar 6, baca hasil kali g mo R S yang bersangkutan , yang adalah g R = 4 mo S Resitansi sumber yang di perlukan adalah R = 4 g = 4 800010 - 3 = 500 S mo  Contoh 6 Dalam Gambar 7, JFET yang pertama mempunyai I DSS = 8 mA dan g mo = 4000 S. JFET yang kedua mempunyai I DSS = 15 mA dan g mo = 3300 S. Berapa arus cerat pada tiap tingkat ? Penyelesaian: Tingkat pertama mempunyai hasil kali g R = 0,004 680 = 2,72 mo S  Gambar 5.14 Rangkaian penguat bertingkat JFET. Dalam Gambar 5.14, kita baca rasio arus yang bersangkutan I I = 0,32 D DSS Maka, I = 0,32 I = 0,32 8 mA = 2,56 mA D DSS 