Susunan Transistor PNP Susunan Trasistor NPN.

57 Gambar 4.4 Karakteristik input transistor Prinsip dari karakteristik input transistor adalah karakteristik dioda maju forward basis-emitor. Dioda akan mulai menghantarkan arus I B pada saat tegangan U BE = 0,7V silikon dan U BE = 0,3V germanium.Dari kurva karakteristik input, bisa dihitung besarnya nilai tahanan dinamis Basis-Emitor r BE yang juga dinotasikan dengan h11e sebesar: B BE BE I U r    ……………………………………….….Persamaan 4.4 r BE = tahanan input dinamis  U BE = perubahan tegangan basis-emitor  I B = perubahan arus basis 2 Karakteristik Output Transistor Transistor memiliki karakteristik output antara kolektor terhadap emitor. Parameter output adalah tahanan dinamis kolektor emitor r CE yang besarnya tergantung dari perubahan tegangan kolektor-emitor U CE dan perubahan arus kolektor I C . Gambar 4.5 Karakteristik output transistor I C = fU CE dengan parameter I B 58 Tahanan dinamis output kolektor-emitor bisa dirumuskan sebagai berikut: C CE CE I U r    r CE = tahanan dinamis output …….. Persamaan 4.5 CE = perubahan tegangan kolektor – emitor C = perubahan arus kolektor r CE juga dinotasikan sebagai e h 22 1 Karakteristik arus output merupakan perbandingan kurva arus kolektor I C fungsi arus basis I B Gambar 4.6 Karakteristik output transistor I C = fI B Kurva karakteristik arus kolektor I C fungsi arus basis I B secara ideal merupakan garis linier, berarti penguatan arus B = konstan. B C I I B   Gambar 4.7 Karakteristik dinamis I C = fI B Kemiringan dari kurva I C = fI B merupakan penguatan arus dinamis yang dirumuskan sebagaiberikut 59 B C I I     ………………………………………..….Persamaan 4.6 = penguatan arus dinamis ac C = perubahan arus kolektor I B = prubahan arus basis dinotasikan juga sebagai h 21e 3 Kurva karakteristik U CE fungsi U BE Setiap perubahan tegangan basis emitor U BE akan diikuti dengan perubahan tegangan kolektor emitor U CE . Kurva karakteristik U CE fungsi U BE dinotasikan sebagai D = h 12e  CE BE U U D    ……….Persamaan 4.7 Gambar 4.8 Karakteristik U CE fungsi U BE 4 Perencanaan Titik Kerja Transistor Ada dua fungsi dari Transistor, yang pertama adalah sebagai sakelar dan yang kedua adalah sebagai penguat, pada saat transistor difungsikan sebagai sakelar, transistor menggantikan fungsi dari sakelar , dan lebih mudah didalam mendesainnya. Ketika transistor digunakan sebagai penguat ada beberapa ketentuan yang harus diikuti untuk mendapatkan hasil yang baik dan sesuai dengan desain. Desain penguat sinyal kecil Rangkaian yang paling sederhana seperti dicontohkan pada gambar 4.9 rangkaian tersebut beri nama Self Bias. R1 dipergunakan untuk memberikan tegangan positip ke Basis, nilai R1 biasanya cukup besar dalam orde MΩ agar supaya tegangan pada Basis sekitar 0,55V sd 0,65V