Aplikasi Penggunaan dengan FET

114

C. Umpan Balik dan Tindak Lanjut

1. Umpan Balik Setelah mempelajari kegiatan pembelajaran ini, periksa penguasaan pengetahuan dan keterampilan anda menggunakan daftar periksa di bawah ini: No Indikator Ya Tidak Bukti 1. Minginterpretasikan kedudukan FET dalam keluarga transistor semikonduktor 2. Struktur dan symbol dari FET saluran N dan saluran P 3. Menginterpretasikan kurva karakteristik input JFET Menginterpretasikan kurva karakteristik output JFET 4. Menginterpretasikan harga batas dari JFET 5. Menghitung nilai transkonduktansi FET 6. Mendesain FET sebagai penguat 2. Tindak Lanjut a. Buat rencana pengembangan dan implementasi praktikum sesuai standar di lingkungan laboratorium kerja anda. b. Apakah anda mengimplementasikan rencana tindak lanjut ini sendiri atau berkelompok?  sendiri  berkelompok – silahkan tulis nama anggota kelompok yang lain dalam tabel di bawah. No: Nama anggota kelompok lainnya tidak termasuk diri anda 115 c. Pikirkan suatu situasi atau kondisi di dalam bengkellaboratorium anda yang mungkin dapat anda ubah atau tingkatkan dengan mengimplementasikan sebuah rencana tindak lanjut. ………………………………………………………………………… ………………………………………………………………………… ………………………………………………………………………… d. Apakah judul rencana tindak lanjut anda? ………………………………………………………………………… ………………………………………………………………………… ………………………………………………………………………… e. Apakah manfaathasil dari rencana aksi tindak lanjut anda tersebut? ………………………………………………………………………… ………………………………………………………………………… ………………………………………………………………………… f. Uraikan bagaimana rencana tindak lanjut anda memenuhi kriteria SMART Spesifik Dapat diukur Dapat dicapai Relevan RentangKetepatan Waktu . 116

D. Kunci Jawaban

1. FET singkatan dari Field Effect Transistor, adalah suatu komponen semi konduktor yang cara kerjanya berdasarkan pengaturan arus dengan medan listrik 2. FET disebut transistor unipolar karena cara kerjanya hanya berdasarkan aliran pembawa muatan mayoritas saja 3. Transkonduktansi sama dengan perubahan arus drain dibagi dengan perubahan tegangan gerbang yang bersangkutan 4. r = 100 mV 0,7 mA = 142 dson 