99 yang lebih atas mempunyai harga yang lebih besar. Pada lembaran data
untuk JFET biasanya diberikan harga gm pada U
GS
= 0 yaitu harga g
m
antara titik-titik seperti C dan D dalam Gambar 5.10. Harga g
m
sebagai g
mo
untuk menunjukkan harga tersebut di ukur pada U
GS
= 0. Dengan menurunkan kemiringan slope dari kurva transkonduktansi pada titik-
titik lain, kita dapat membuktikan setiap gm sama dengan
g = g 1 -
U U
m m0
GS GSoff
…………………………………...…persamaan 5.5 Kadang-kadang , g
m
dinyatakan sebagai g
m
transkonduktansi forward atau y
fs
transmitansi forward Jika kita tidak dapat mendapatkan g
m
pada lembaran data, dicari g
fs
atau y
fs
. Sebagai contoh, lembaran data dari sebuah JFET 2N5951 memberikan g
fs
= 6,5 m
jS
pada U
GS
= 0; ini ekivalen dengan g
mo
= 6,5 mS = 6500 S. Sebagai contoh
lain, lembar data 2N5457 , y
fs
= 3000 S untuk U
GS
= 0, ekivalen dengan g
mo
= 3000 S .
ID
UGS Tinggi
Rendah gm
gm A
B C
D
Gambar 5.10. Arti grafik dari transkonduktansi
7. Penalaan harga Harga U
GSoff
Dengan perhitungan didapat penurunan rumus sebagai berikut :
U 2I
g
GSoff DSS
mo
……………………………………………...…persamaan 5.6
100 Ini berguna karena di samping I
DSS
dan g
mo
mudah di ukur dengan ketelitian yang tinggi U
GSoff
sukar di ukur, persamaan 5.6 memberikan jalan untuk menghitung U
GSOFF
dengan ketelitian yang tinggi. Resistansi Cerat AC
Resistansi r
DS
adalah resistansi ac
r = U
I untuk U
konstan
ds DS
D GS
…..................................…persamaan 5.7 Di atas tegangan pinchoff, perubahan I
D
kecil untuk suatu perubahan dalam U
DS
karena kurvanya hampir rata ;karena itu r
ds
mempunyai harga yang besar; secara tipikal antara 10 k sampai 1 M. Sebagai contoh,
jika suatu perubahan dalam tegangan cerat sebesar 2 V menghasilkan perubahan dalam arus cerat sebesar 0,02 mA.
r = 2V
0,02 mA = 100 K
ds
Lembaran data biasanya tidak mendaftar harga r
ds
, tetapi mereka memberikan spesifikasi timbal balik, baik g
os
konduktansi output atau y
os
admitansi output. Resistansi drain-source dihubungkan dengan harga lembaran data sebagai berikut :
r = 1
g
ds os
…...………………………………………………..persamaan 5.7a dan
r = 1
y s untuk frekuensi rendah
ds o
…..............…persamaan 5.7b Contoh sebuah JFET 2N 5951 memberikan g
os
= 75 S, maka
r = 1
g =
1 7510
= 13,3 K
ds os
-6
Di samping itu lembar data 2N 5457 menunjukkan yos = 50 S. Dengan
Persamaan 7b didapatkan :
r = 1
y =
1 5010
= 20 K
ds os
-6
8. Resitansi drain-source dalam keadaan bekerja
Pada daerah aktif, JFET bekerja sebagai sebuah sumber arus. Tetapi dalam daerah jenuh tegangan drain-source lebih kecil dari U
p
akan bekerja sebagai sebuah resistor, karena dalam daerah jenuh. Suatu perubahan dalam
tegangan drain-source menghasilkan perubahan yang sebanding dalam arus drain . Ini merupakan alasan
